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SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 利用可

菅沼 克昭／編著 -- 日刊工業新聞社 -- 2014.12 -- 549.8

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本館 ４階自然 Map 9 /549.8/ｽｶ/1096731 1110967310 閲可 貸可 協可 －

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タイトル SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
著者 菅沼 克昭 ／編著  
出版地 東京
出版者 日刊工業新聞社
出版年 2014.12
ページ数 247p
大きさ 21cm
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス , 信頼性(工学)
内容紹介 省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。
ISBN13桁 978-4-526-07339-7 国立国会図書館 カーリル GoogleBooks WebcatPlus
分類番号 549.8

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