資料詳細

検索条件

  • 著者
    奥住喜重
ハイライト
  • 1 件中、 1 件目

シリサイド系半導体の科学と技術 利用可

前田 佳均／編著 -- 裳華房 -- 2014.9 -- 549.8

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館 場所 棚番号 請求記号 資料コード 貸出利用 状態
本館 ４階自然 Map 9 /549.8/ﾏｴ/1092703 1110927039 閲可 貸可 協可 －

ページの先頭へ

資料詳細

タイトル シリサイド系半導体の科学と技術
副書名 資源・環境時代の新しい半導体と関連物質
著者 前田 佳均 ／編著  
出版地 東京
出版者 裳華房
出版年 2014.9
ページ数 16,324p
大きさ 22cm
一般件名 半導体
内容紹介 シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、そして発光素子、太陽電池、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究などについて解説する。
ISBN13桁 978-4-7853-2920-4 国立国会図書館 カーリル GoogleBooks WebcatPlus
分類番号 549.8

ページの先頭へ