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半導体SiC技術と応用
利用可
松波 弘之/編著 -- 日刊工業新聞社 -- 2011.9 -- 549.8
SDI
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所蔵館
場所
棚番号
請求記号
資料コード
貸出利用
状態
本館
4階自然
Map
9
/549.8/ハン/1026628
1110266280
閲可 貸可 協可
-
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資料詳細
タイトル
半導体SiC技術と応用
著者
松波 弘之
/編著,
大谷 昇
/編著,
木本 恒暢
/編著,
中村 孝
/編著
出版地
東京
出版者
日刊工業新聞社
出版年
2011.9
ページ数
12,533p
大きさ
21cm
版表示
第2版
一般件名
半導体
内容紹介
SiC(シリコンカーバイド)を用いたパワーデバイスは世界的に注目され、本格的な応用期を迎えようとしている。省電力・高速・高温動作性などで高性能を持つ半導体SiCの基礎から応用までをわかりやすく解説する。
ISBN13桁
978-4-526-06754-9
分類番号
549.8
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関連メディア
/T170P55044
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