五十嵐 征輝/編著 -- CQ出版 -- 2011.4 -- 549.6

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所蔵館 場所 棚番号 請求記号 資料コード 貸出利用 状態
本館 4階自然 Map 9 /549.6/イカ/1015489 1110154892 閲可 貸可 協可

資料詳細

タイトル パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際
副書名 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
叢書名 POWER ELECTRONICS
著者 五十嵐 征輝 /編著  
出版地 東京
出版者 CQ出版
出版年 2011.4
ページ数 183p
大きさ 21cm
一般件名 トランジスター , パワーエレクトロニクス
内容紹介 IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)の基本構造ならびに動作原理から実際に使用するための設計技術までを詳しく解説。IGBTを適用する際に必要となる技術を網羅した実用書。
ISBN13桁 978-4-7898-3609-8 国立国会図書館 カーリル GoogleBooks WebcatPlus
分類番号 549.6