荒井 和雄/共編 -- オーム社 -- 2003.3 -- 549.8

所蔵

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所蔵館 場所 棚番号 請求記号 資料コード 貸出利用 状態
本館 4階自然 Map 9 /549.8/アラ/835994 1108359945 閲可 貸可 協可

資料詳細

タイトル SiC素子の基礎と応用
著者 荒井 和雄 /共編, 吉田 貞史 /共編  
出版地 東京
出版者 オーム社
出版年 2003.3
ページ数 270p
大きさ 22cm
一般件名 半導体
内容紹介 注目のSiC素子開発の現状と問題点を明らかにし、それがいかにパワーエレクトロニクスに革新をもたらそうとしているかを詳述。SiCの基礎事項、実証、応用と波及効果および今後の展開などをまとめる。
ISBN 4-274-94885-4 国立国会図書館 カーリル GoogleBooks WebcatPlus
分類番号 549.8